512GB (1GB=1 Billón bytes por IDEMA) * La capacidad actual puede ser menor debido al sistema operativo, aplicaciones u otros motivos.
Formato
M.2 (2280)
Interfaz
PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Dimensiones
80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
Peso
Máx 8.0 g
Memoria de almacenamiento
Samsung V-NAND 2-bit MLC
Controller
Control Samsung Phoenix
Memoria caché
Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM
Características especiales
Soporte TRIM
Incluido
Soporte S.M.A.R.T
Incluido
GC (Garbage Collection)
Colección Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación
Encriptación AES 256-bit
WWN
No incluido
Soporte Modo Suspensión en dispositivo
Si
Rendimiento
Lectura secuencial
Hasta 3,500 MB/s * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Escritura secuencial
Hasta 2,300 MB/s * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Lectura aleatoria (4KB, QD32)
Hasta 370,000 IOPS * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Escritura aleatoria (4KB, QD32)
Hasta 500,000 IOPS * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Lectura aleatoria (4KB, QD1)
Hasta 15,000 IOPS * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Escritura aleatoria (4KB, QD1)
Hasta 55,000 IOPS * El rendimiento puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Entorno
Consumo energético medio
* Media: 5.2 W * Máximo: El consumo actual puede variar dependiendo del sistema hardware y configuración
Consumo energético (Idle)
Máx. 30 mW *El consumo actual puede variar dependiendo del sistema
Voltaje soportado
3.3 V ± 5 % Voltaje permitido
Durabilidad (MTBF)
1.5 Millones de horas
Temperatura
0 - 70 ℃
Golpes
1,500 G & 0.5 ms
Software
SW de gestión
Magician Software
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MZ-V7P512BW
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Description
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EspecificacionesInterfaz PCIeCompatible con NVMe 1.3Compatible con la interfaz PCIe Gen3 x4Capacidad512 GBRendimiento*Seq. Leer escribir:512 GB: hasta 3500/2300 MB / s(4K) Lectura / escritura aleatoria512 GB: hasta 400 K / 600 K IOPSGestión de FlashNivelación de desgaste globalGestión de bloques defectuososGestión de fallos de energíaResistencia (en terabytes escrito: TBW)512 GB: 350 TBRango de...
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