El SSD Western Digital PC SN530 NVMe ™ está diseñado para una multitud de aplicaciones que requieren tanto alto rendimiento como bajo consumo de energía. El dispositivo no solo es capaz de más de tres veces la velocidad de lectura sobre SSD SATA, sino que optimiza aún más el bajo nivel de consumo de energía a solo 5 mW.
Lectura / escritura secuencial
Hasta 2400/950 MB / s
IOPS de lectura / escritura aleatoria
Hasta 170 / 120K
Factor de forma
M.2 2280
Interfaz
PCIe Gen3 x4 NVMe v1.4
Resistencia
200 TBW
Nuevo
SDBPNPZ-256G
Nombre :Política de devolución de 30 días
Descripción
¿No estás satisfecho con tu compra? ¿Tu producto está estropeado? Es una lástima. Pero nos vamos a encargar de eso, prometido.
Todas las promesas que cumplimos en el caso de que el articulo tenga algun defecto:
● Devolución gratuita del producto en caso de que el articulo tiene algun defecto de fabrica.
● 30 días de reflexión después de haber recibido el producto.
● ¿Prefieres que te devolvamos el dinero? En un plazo de tres días tras la recepción te realizaremos el reembolso.
● ¿Se ha estropeado el producto después de 30 días? En ese caso tienes un mínimo de 3 años de garantía sobre él. (Excepcion hacen los bienes intermedios)
En el caso de que has cambiado de opinion:
● Te facilitamos una etiqueta de devolucion de bajo coste para hacernos llegar el producto
● Te realizaremos el reembolso en un plazo de 3 dias tras la recepción
● ¿Quieres cambiar el producto? Te enviamos el producto nuevo el mismo día de la recepción.
Al ofrecer una velocidad de lectura de 3000 MB / s con una interfaz PCIe 3 × 4, ofrece un potencial decente relevante para su generación 3.0. La especificación IRDM M.2 permite que la SSD se utilice como alternativa a los productos de interfaz 4.0, cuyo rendimiento debe satisfacer las más altas exigencias, pero siguen siendo muy costosos para muchos usuarios.
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EspecificacionesInterfaz PCIeCompatible con NVMe 1.3Compatible con la interfaz PCIe Gen3 x4Capacidad512 GBRendimiento*Seq. Leer escribir:512 GB: hasta 3500/2300 MB / s(4K) Lectura / escritura aleatoria512 GB: hasta 400 K / 600 K IOPSGestión de FlashNivelación de desgaste globalGestión de bloques defectuososGestión de fallos de energíaResistencia (en terabytes escrito: TBW)512 GB: 350 TBRango de...
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